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ＭＩＴ素子を用いた自動高温・高電流遮断方法及自動高温・高電流遮断スイッチ
- 专利权人:
- モブリック カンパニー，リミテッドＭＯＢＲＩＫ ＣＯ，ＬＴＤ
- 发明人:
- リー，ドン チェ,リー，ヨン グ,チョイ，チュン ヒョン
- 申请号：
- JP20160557847
- 公开号：
- JP2017504283(A)
- 申请日:
- 2014.05.13
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- ＭＩＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）素子を用いた自動高温・高電流遮断方法は、 ＣＴＳ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｗｉｔｃｈ）の抵抗及びリファレンス抵抗に基づいてＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）にかかるＦＥＴ電圧を算出する段階と、ＦＥＴ電圧の大きさと所定の臨界電圧の大きさを比較する段階と、ＦＥＴ電圧が臨界電圧より大きい場合は、ＦＥＴをオン（ｏｎ）状態に設定し、ＦＥＴ電圧が臨界電圧より小さい場合は、ＦＥＴをオフ（ｏｆｆ）状態に設定する段階と、を備え、ＣＴＳはＭＩＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）素子を用いたスイッチであり、ＭＩＴ素子は所定の温度範囲でのみ金属特性を有する素子である。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
