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MIT素子を用いた自動高温・高電流遮断方法及自動高温・高電流遮断スイッチ
- 专利权人:
- モブリック カンパニー,リミテッドMOBRIK CO,LTD
- 发明人:
- リー,ドン チェ,リー,ヨン グ,チョイ,チュン ヒョン
- 申请号:
- JP20160557847
- 公开号:
- JP2017504283(A)
- 申请日:
- 2014.05.13
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要:
- MIT(Metal−Insulator Transition)素子を用いた自動高温・高電流遮断方法は、 CTS(critical temperature switch)の抵抗及びリファレンス抵抗に基づいてFET(field effect transistor)にかかるFET電圧を算出する段階と、FET電圧の大きさと所定の臨界電圧の大きさを比較する段階と、FET電圧が臨界電圧より大きい場合は、FETをオン(on)状態に設定し、FET電圧が臨界電圧より小さい場合は、FETをオフ(off)状態に設定する段階と、を備え、CTSはMIT(Metal−Insulator Transition)素子を用いたスイッチであり、MIT素子は所定の温度範囲でのみ金属特性を有する素子である。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址:
- http://www.ckcest.cn/home/