一种高性能硼化锆陶瓷及其制备方法和应用

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专利权人:

广东工业大学

发明人:

郭伟明,曾令勇,魏万鑫,林华泰

申请号：

CN201810661782.1

公开号：

CN108997020A

申请日:

2018.06.25

申请国别(地区):

中国

年份:

2018

代理人:

杨晓松

摘要：

本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种高性能硼化锆陶瓷及其制备方法和应用，所述硼化锆陶瓷是以ZrB₂粉体为原料，MgO‑Re₂O₃混合粉体为烧结助剂，添加Si₃N₄晶须或AlN晶须后混合，得到ZrB₂‑Si₃N₄(AlN)晶须‑MgO‑Re₂O₃混合粉体，再将该混合粉体过筛，在惰性气氛下1450～1550℃烧结，加压至25～35MPa后保温制得。该方法具有工艺简单、烧结温度低等优点，制备的硼化锆陶瓷粒径较细，形成部分长棒状晶粒，具有较高的致密度和抗弯强度，同时长棒状ZrB₂晶粒的形成提高了ZrB₂陶瓷的韧性，能够用于航空航天、兵器、能源、机械等领域中。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/