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玉米垄侧双行宽窄穴距同步栽培方法
专利权人:
高荣
发明人:
高荣,张玉华,高淑红
申请号:
CN201210257289.6
公开号:
CN102742445A
申请日:
2012.07.24
申请国别(地区):
中国
年份:
2012
代理人:
张伟
摘要:
一种玉米垄侧双行宽窄穴距同步栽培方法,涉及一种玉米高光效利用通透栽培方法。本发明的栽培方法为起垄→垄面刮土→开沟→播种→复土→施肥→调控,具体要求为:整地起垄,垄距为65~70cm;两垄为一个组合体,亩播1800~2000穴,每穴2粒,播种窄行行距40~50cm,播种宽行行距80~95cm,双行同步宽穴距离70~66cm,窄穴距离35~33cm。本发明的玉米垄侧双行栽培添补了不能大垄整地玉米双行种植的空白,玉米垄侧双行栽培可达到玉米大垄双行栽培同等的效益。超出玉米大垄双行单侧通透,可达到每株玉米两个侧面通透,达到大面积玉米交叉性的通透,提高了玉米的光效利用。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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