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二维阵列换能器的制造方法及二维阵列换能器
- 专利权人:
- 中国科学院深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 陈昳丽,朱艳春,付楠,李荣茂,余绍德,张志诚,伍仕斌,谢耀钦
- 申请号：
- CN201610998896.6
- 公开号：
- CN106388864A
- 申请日:
- 2016.11.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种二维阵列换能器的制造方法及二维阵列换能器，涉及二维阵列换能器技术领域。方法包括：通过3D打印技术打印第一匹配层和第二匹配层；将所述第一匹配层粘接到压电晶片的地电极面上，并将第二匹配层粘接到第一匹配层，使得压电晶片、第一匹配层和第二匹配层形成一第一整体部件；将所述第一整体部件从侧面切割成纵横正交的二维阵列；将所述纵横正交的二维阵列在成型模具上成型为平面；根据成型为平面的纵横正交的二维阵列，生成公共电极引线和信号传输通路，形成第二整体部件；通过3D打印技术，采用一背衬灌注模具将所述第二整体部件外部打印成背衬；通过3D打印技术，采用一声透镜灌注模具，在背衬固化成型后的部件外侧打印声透镜。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
