一种单层g-C3N4荧光传感器的制备及其应用
- 专利权人:
- 华南师范大学
- 发明人:
- 曹玉娟,王颂,吴威
- 申请号：
- CN201510449480.4
- 公开号：
- CN105067579B
- 申请日:
- 2015.07.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 吴静芝
- 摘要：
- 本发明属于材料科学与工程和现代光学传感技术领域，涉及一种基于类石墨烯的单层碳氮化合物(g‑C3N4)荧光传感器的制备方法及其应用。步骤如下：以二氰二胺为原料，采用程序升温煅烧法制备块状固体g‑C3N4粉末；然后采用液体去角质超声剥离法将g‑C3N4块状固体制备为高度水分散的单层g‑C3N4胶体，即为所述单层g‑C3N4荧光传感器。本发明的单层g‑C3N4胶体具有良好的荧光性能和稳定性，表现出明显的丁达尔现象和蓝色荧光特性，该传感器对银离子具有选择性响应，适用于生物、食品、环境等复杂样品中痕量银离子的分析检测。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
