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シリコンウェーハのゲッタリング能力評価方法
- 专利权人:
- 信越半導体株式会社
- 发明人:
- 戸部 敏視
- 申请号：
- JP20150142833
- 公开号：
- JP2017028007(A)
- 申请日:
- 2015.07.17
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】シリコンウェーハに形成されたゲッタリング層の持つゲッタリング能力を簡便に評価でき、微小なゲッタリング能力の違いも捉えることができる評価方法を提供する。【解決手段】ゲッタリング層として機能するイオン注入層が形成された評価対象のシリコンウェーハを準備し、そのシリコンウェーハの表面にＮｉを故意汚染し、シリコンウェーハの表面に垂直な面が露出するようシリコンウェーハを劈開する。劈開後のシリコンウェーハに対して、故意汚染したＮｉをウェーハ中に拡散、イオン注入層への捕獲、及び劈開面にＮｉのシリサイド析出物形成のための熱処理を行う。その後、劈開面に、Ｎｉのシリサイド析出物のシャローピットを形成するよう選択エッチングを行う。その後、劈開面に形成されたシャローピットの深さ方向分布を観察
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
