A light emitting device for growing plants and a method for manufacturing the same are provided. The light emitting device for growing plants comprises a first light emitting diode chip a second light emitting diode chip and a first light emitter emitting red light using light emitted from at least one of the first light emitting diode chip and the second light emitting diode chip. The first light emitting diode chip has a first peak wavelength in a range of 400 to 440 nm, the second light emitting diode chip has a second peak wavelength in a range of 440 to 480 nm, and the first light emitter has at least one peak in a range of 600 to 800 nm.COPYRIGHT KIPO 2017식물 성장용 발광 소자와 발광 모듈 및 그 제조 방법이 개시된다. 식물 성장용 발광 소자는, 제1 발광 다이오드 칩 제2 발광 다이오드 칩 및 상기 제1 발광 다이오드 칩 및 상기 제2 발광 다이오드 칩 중 적어도 어느 하나로부터 방출된 광에 의해 적색광을 방출하는 제1 발광체를 포함하고, 상기 제1 발광 다이오드 칩은 400 내지 440nm 범위 내의 제1 피크 파장을 가지고, 상기 제2 발광 다이오드 칩은 440 내지 480nm 범위 내의 제2 피크 파장을 가지며, 상기 제1 발광체는 600 내지 800nm 범위 내에 적어도 하나의 피크를 가진다.발광 모듈은, 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 발광 소자는 청구항 1 내지 청구항 8의 어느 한 항에 기재된 발광 소자이고, 상기 제2 발광 소자는 백색광을 방출한다.식물 성장용 발광 소자의 제조 방법은, 발광체의 종류 및 함량을 설정하고, 제1 발광 다이오드 칩 및 제2 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 제1 피크 파장의 광 및 제2 피크 파장의 광 중 적어도 하나를 흡수하도록 설정된 함량의 발광체를 배치하는 것을 포함하되, 상기 제1 발광 다이오드 칩은 400 내지 440nm 범위 내의 제1 피크 파장을 가지고, 상기 제2 발광 다이오드 칩은 440 내지 480nm 범위 내의 제2 피크 파장을 가지며, 상기 발광체는 600 내지 800nm 범위 내에 적어도 하나의 피크를 가지며, 상기 발광체의 종류 및 함량은, 대상 식물의 가시광 흡수 스펙트럼으로부터 380 내지 500nm 범위 내의 흡수 광 파워의 총합과 500 내지 780nm 범위 내의 흡수 광 파워의 총합의 비를 산출하여, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 칩 및 상기 발광체로부터 방출되는 광의 스펙트럼이 380 내지 500nm 범위 내의 광 출력의 총합과 500 내지 780nm 범위 내의 광 출력의 총합의 비가 상기 산출된 비에 대응하도록 설정된다.
