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一种富硒高产玉米的种植方法
专利权人:
胡云龙
发明人:
胡云龙
申请号:
CN201610827144.3
公开号:
CN106416687A
申请日:
2016.09.18
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
李显锋
摘要:
本发明属于玉米种植技术领域,尤其是一种富硒高产玉米的种植方法,具体方法如下:(1)玉米种处理及播种;(2)定苗及定苗后管理;(3)孕穗期的管理。本发明使得二点委夜蛾虫害率降低至0、蛴螬虫害率降低至0.1%~0.2%、小斑病病害率降低至0.1%~0.2%、锈病病害率降低至0.2%~0.3%,使得硒含量增加至75.58~76.75μg/100g、是玉米普通种植方法硒含量的20倍,使得平均亩产量达到628.4~635.7kg、相对玉米的普通种植方法增产19.79%~21.18%,使得平均千粒重达到388.1~391.5g、相对玉米的普通种植方法增重10.66%~11.63%。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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