The solid-state image pickup device 1 includes a semiconductor substrate 3A having a pixel array 10A in which pixels are arranged in M rows and NA columns, and a plurality of pixels arranged in M rows and NB columns, , A semiconductor substrate 3B having a pixel array 10B arranged along the NA line of the signal output section 20, and a signal output section 20. The signal output section 20 outputs the signal from the first column to the n-th column (2 n NA) from the (n + 1) th column of the pixel array 10A in parallel to the pixel array 10A in parallel with the output from the n-th column to the first column, 10B in the order reverse to the first column to the n-th column of the pixel array 10A. Therefore, in the solid-state imaging device in which each pixel array formed on two substrates is tiled in the row direction, the time required for imaging one frame is shortened.고체 촬상 장치(1)는 화소가 M행 NA열에 배열되어 이루어지는 화소 배열(10A)을 가지는 반도체 기판(3A)와, 화소가 M행 NB열에 배열되어 이루어지고, 그 제1열이 화소 배열(10A)의 제NA열을 따라 배치된 화소 배열(10B)을 가지는 반도체 기판(3B)과, 신호 출력부(20)를 구비한다. 신호 출력부(20)는 화소 배열(10A)의 제1열로부터 제n열(2nNA)까지의 각 열에 대응하는 디지털값을, 제n열로부터 제1열까지 순차로 출력함과 아울러, 이 출력과 병행하여, 화소 배열(10A)의 제(n+1)열로부터 화소 배열(10B)의 제NB열까지의 각 열에 대응하는 디지털값을, 화소 배열(10A)의 제1열 내지 제n열과는 반대인 순서로 순차 출력한다. 이로 인해, 2매의 기판 상에 형성된 각 화소 배열이 행 방향에 타일링된 구성을 구비하는 고체 촬상 장치에 있어서, 1 프레임의 촬상에 필요한 시간이 단축된다.
