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一种提高GaN基LED静电耐受能力的外延生长方法
- 专利权人:
- 合肥彩虹蓝光科技有限公司
- 发明人:
- 唐军
- 申请号：
- CN201410090321.5
- 公开号：
- CN103824908A
- 申请日:
- 2014.03.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种提高GaN基LED静电耐受能力的外延生长方法，其LED外延结构从下向上的顺序依次包括：蓝宝石衬底、低温成核层、高温GaN缓冲层、高温u-GaN层、复合n型GaN层、浅量子阱结构SW、低掺杂n-GaN静电中和层EN、多量子阱发光层结构MQW、低温p型GaN层、p型AlGaN层、高温p型GaN层、p型接触层，在n-GaN层1/3厚度处插入一层n-AlGaN层；2）在浅量子阱层和发光量子阱层中间插入一层特定厚度及浓度的n-GaN层充当EN静电中和层；3）低温p-GaN层和高温p-GaN层中间插入一层特定厚度的p-AlGaN层。本发明的可以有效提高芯片的ESD耐受能力，9mil×9mil芯片使用常规外延工艺，ESD步进值平均200V，使用本发明外延工艺，ESD步进值明显提高到385V。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
