您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
钛基底上多孔镍-铜氧化物纳米线阵列无酶葡萄糖传感器电极
- 专利权人:
- 华中师范大学
- 发明人:
- 黄新堂,丁瑞敏,刘金平
- 申请号：
- CN201110321626.9
- 公开号：
- CN102507692B
- 申请日:
- 2011.10.21
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 张安国`伍见
- 摘要：
- 钛基底上多孔镍-铜氧化物纳米线阵列无酶葡萄糖传感器电极。该电极为钛基底上镍-铜氧化物纳米颗粒交叠组装的多孔纳米线阵列结构，其单根纳米线顶端直径20±1纳米，长度2±0.2微米，垂直、均匀、致密地分布在钛金属表面，呈现阵列；单根纳米线由5±0.2纳米的氧化铜和氧化镍纳米颗粒交叠组装而成，纳米线中具有5±0.2纳米的纳米孔均匀分布。制法是：将清洁的钛金属片置入二水氯化铜，六水氯化镍和尿素的水溶液中；然后在聚四氟乙烯内胆的高压釜中密封加热到120℃，保持24小时；自然冷却后将钛金属片取出，即得电极样品的前驱体(Ni，Cu)2(OH)2CO3纳米线阵列薄膜。再将前驱体样品在空气中350℃和500℃分别退火得到传感器电极。该电极应用于生物、医学、电子仪器类产品中。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
