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一种菱镁矿粉尘污染区坡地的植树法
专利权人:
中国科学院沈阳应用生态研究所
发明人:
姜勇,张玉革,李培军
申请号:
CN200710012470.X
公开号:
CN101366354B
申请日:
2007.08.15
申请国别(地区):
中国
年份:
2010
代理人:
张志伟
摘要:
本发明涉及植物栽培法,具体为一种菱镁矿粉尘污染区坡地的植树法及树坑填充物,解决菱镁矿粉尘污染坡地林木覆盖率较低,水土流失现象严重等问题。填充物为每坑添加有机物料50-80份、磷石膏5-10份、工业硫磺0.5-1.0份、缓释尿素或缓释复合肥0.5-1份,填充物重量占树坑土壤和填充物重量之和的5-15%。采用鱼鳞坑反坡阶整地,栽植坑为长40-60厘米、宽40-60厘米、深50-70厘米,利用置土或客土并与填充物混合进行坡地植树。本发明中树坑填充物价格低,无污染;植树法简单易行,具有提高树苗成活率及生长速度,修复土壤和植被,减少水土流失的功效。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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