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磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法
- 专利权人:
- 清华大学
- 发明人:
- 王人成,张若凡,程嘉,于璐嘉,柳世强,何崇恺
- 申请号：
- CN201310153699.0
- 公开号：
- CN103218498B
- 申请日:
- 2013.04.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 朱琨
- 摘要：
- 本发明公开了磁控溅射源移动磁体运动控制技术领域中的一种磁控溅射源移动磁体最优运动规律的计算方法。包括通过仿真得到移动磁体运动经过n个位置处靶材表面上m个点的水平磁场强度；建立用于计算靶材表面m个点的等效水平磁场强度的耦合函数bsumj(ki)；根据所述耦合函数bsumj(ki)，建立用于计算靶材利用率的目标函数η(ki)；以靶材利用率最大化为优化目标，以
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且ki＞0为约束条件，利用优化遗传算法对所述目标函数η(ki)进行优化，得到加权系数ki的最优值；利用加权系数ki的最优值，推出移动磁体最优运动规律。本发明在实现靶材利用率最大化的同时，实现了最佳的刻蚀均匀性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
