A method for growing carbon nanowalls on a substrate of an implantable medical device by means of a processing chamber is provided, said method comprising: providing said substrate in said processing chamber, evacuating said processing chamber to a processing pressure, entering a gas mixture inside the processing chamber, providing radicals inside said chamber and adsorbing said radicals on said substrate leading to growing of carbon nanowalls on said substrate.La présente invention concerne un procédé de croissance des nanoparois de carbone sur un substrat d'un dispositif médical implantable au moyen d'une chambre de traitement, ledit procédé comprenant : la fourniture dudit substrat dans ladite chambre de traitement, l'évacuation de ladite chambre de traitement à une pression de traitement, l'introduction d'un mélange gazeux à l'intérieur de la chambre de traitement, la fourniture de radicaux à l'intérieur de ladite chambre et l'absorption desdits radicaux sur ledit substrat conduisant à la croissance de nanoparois de carbone sur ledit substrat.
