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プラズマ発生装置
专利权人:
三星電子株式会社
发明人:
TAKENOSHITA KAZUTOSHI,竹之下 一利,YUGE MASAO,弓削 政郎,MIYAMOTO MAKOTO,宮本 誠,YAMADA YUKITAKA,山田 幸香
申请号:
JP2013249315
公开号:
JP2014132566A
申请日:
2013.12.02
申请国别(地区):
JP
年份:
2014
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To generate plasma only at a portion in contact with air, thereby eliminating discharge at an unnecessary portion and reducing generation of ozone.SOLUTION: An embodiment comprises: an annular low dielectric layer 2 disposed to surround a flow channel R a first electrode 3 and a second electrode 4 disposed to have the low dielectric layer 2 therebetween and surround the flow channel R and an annular high dielectric layer disposed between at least one of the first electrode 3 and the second electrode 4 and the low dielectric layer 2 to surround the flow channel R.COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT【課題】空気と接触する部分にのみプラズマを発生させて不必要な部分での放電を無くし、オゾンの発生を抑制する。【解決手段】流路Rを囲むように設けられた環状の低誘電体層2と、低誘電体層2を挟むとともに、流路Rを囲むように設けられた第1電極3及び第2電極4と、第1電極3又は第2電極4の少なくとも一方及び低誘電体層2の間において、流路Rを囲むように設けられた環状の高誘電体層とを備える。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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