一种甜叶菊NaN3离体诱变培养基配方
- 专利权人:
- 李吉菊
- 发明人:
- 李吉菊,何克勤
- 申请号：
- CN201410730173.9
- 公开号：
- CN104472361A
- 申请日:
- 2014.12.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公布了一种甜叶菊NaN3离体诱变培养基配方，其做法是将低浓度的NaN3诱变剂直接加入增殖培养基中，待接入培养基中的甜叶菊茎段顶部及茎段上两叶片枯死时，将茎段移入不加任何激素和诱变剂的MS培养基中进行培养。NaN3直接加入到培养基中进行诱变可提高甜叶菊茎段再生苗的突变率，创造出更多新种质材料，为甜叶菊种质及品种的改良所需好的亲本材料奠定基础。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
