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OPTISCHER SENSOR
专利权人:
Ecole Centrale De Lille;Ecole Centrale De Lille;Universite Polytechnique des Hauts de France;Universite Polytechnique des Hauts de France;Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS;Centre Nat
发明人:
CAPPY, Alain,DANNEVILLE, François,HOEL, Virginie,LOYEZ, Christophe,SOURIKOPOULOS, Ilias
申请号:
EP18788782.3
公开号:
EP3700618A1
申请日:
2018.10.24
申请国别(地区):
EP
年份:
2020
代理人:
摘要:
The invention relates to an optical sensor (1), in particular an artificial retina, with at least one photosensitive cell, each cell including: - an integration capacitor (Cm), - a reading circuit (10) of which the operation depends on the charge of the integration capacitor (Cm), - at least one MOS transistor (3; 31; 32) operating below the threshold, the drain-to-source current of which influences the charge of the integration capacitor (Cm), - at least one photodiode (2; 21; 22) operating in photovoltaic mode, connected to the gate of this transistor, so that the drain-to-source current of the MOS transistor depends on the optical power received by the photodiode.Université de Lille, École Centrale de Lille, Université de Valenciennes et du Hainaut- Cambrésis, Centre National de la Recherche Scientifique, YNCREA « Capteur optique » Capteur optique (1), notamment une rétine artificielle, à au moins une cellule photosensible, chaque cellule comportant : - une capacité d'intégration (Cm), - un circuit de lecture (10) dont le fonctionnement dépend de la charge de la capacité d'intégration (Cm), - au moins un transistor MOS (3; 31; 32) fonctionnant sous le seuil, dont le courant drain source influe sur la charge de la capacité d'intégration (Cm), - au moins une photodiode (2; 21; 22) fonctionnant en mode photovoltaïque, reliée à la grille de ce transistor, de telle sorte que le courant drain source du transistor MOS dépende de la puissance optique reçue par la photodiode.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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