金属硅及多孔碳的制造方法
- 专利权人:
- 住友电气工业株式会社
- 发明人:
- 石川真二,足立彻,山下泰一郎
- 申请号：
- CN201380032500.7
- 公开号：
- CN104411635A
- 申请日:
- 2013.05.22
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 盛曼`金龙河
- 摘要：
- 本发明提供能够由稻壳制造金属硅及多孔碳的制造方法。金属硅及多孔碳的制造方法具备：第一工序S1，通过稻壳M1的加热处理而生成含有SiO2和C的稻壳炭M2；第二工序S4，使稻壳炭M4曝露于加热后的第一不活泼气体G2或还原性气体中的至少任意一种气体中而生成SiC；第三工序S5，使SiC曝露于含有Cl2气体的加热气氛中而生成SiCl4和多孔碳P1；第四工序S7，通过使SiCl4与Zn反应而生成金属硅P2和ZnCl2；以及第五工序S9，对ZnCl2进行电解而生成Zn和Cl2气体。将第五工序S9的Cl2气体用于第三工序S5，将第五工序S9的Zn用于第四工序S7。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
