金属硅及多孔碳的制造方法

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专利权人:

住友电气工业株式会社

发明人:

石川真二,足立彻,山下泰一郎

申请号：

CN201380032500.7

公开号：

CN104411635A

申请日:

2013.05.22

申请国别(地区):

中国

年份:

2015

代理人:

盛曼`金龙河

摘要：

本发明提供能够由稻壳制造金属硅及多孔碳的制造方法。金属硅及多孔碳的制造方法具备：第一工序S1，通过稻壳M1的加热处理而生成含有SiO₂和C的稻壳炭M2；第二工序S4，使稻壳炭M4曝露于加热后的第一不活泼气体G2或还原性气体中的至少任意一种气体中而生成SiC；第三工序S5，使SiC曝露于含有Cl₂气体的加热气氛中而生成SiCl₄和多孔碳P1；第四工序S7，通过使SiCl₄与Zn反应而生成金属硅P2和ZnCl₂；以及第五工序S9，对ZnCl₂进行电解而生成Zn和Cl₂气体。将第五工序S9的Cl₂气体用于第三工序S5，将第五工序S9的Zn用于第四工序S7。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/