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具有高堆积密度的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒及其生产方法和用途
专利权人:
昭和电工株式会社
发明人:
小古井久雄,田中淳
申请号:
CN200380107611.6
公开号:
CN100341790C
申请日:
2003.12.26
申请国别(地区):
中国
年份:
2007
代理人:
林柏楠`刘金辉
摘要:
一种生产具有高堆积密度并包括以二氧化钛为主成分及以二氧化硅为辅助成分的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒的方法,该方法包括在加热至600℃或更高的氧或水蒸气中将各自加热至600℃或更高的气态卤化钛和气态卤化硅分解以获得包含二氧化钛和二氧化硅的粉末,将所获得的粉末加热到300至600℃以降低粉末中由原材料产生的卤化氢的浓度至1质量%或更低,然后对粉末进行离解聚集或空间结构的处理。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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