您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

Способ пластики дефекта основания черепа
专利权人:
federalnoe gosudarstvennoe byudzhetnoe obrazovatelnoe uchrezhdenie vysshego obrazovaniya "Tyumenskij gosudarstvennyj meditsinskij universitet" Ministerstva zdravookhraneniya Rossijskoj Federatsii (FGB
发明人:
Sufianov Albert Akramovich,Суфианов Альберт Акрамович,Safarov Ajdar Khafizovich,Сафаров Айдар Хафизович,Sakovich Igor Ivanovich,Сакович Игорь Иванович
申请号:
RU2015126465
公开号:
RU0002606339C1
申请日:
2015.07.02
申请国别(地区):
RU
年份:
2017
代理人:
摘要:
FIELD: medicine.SUBSTANCE: invention refers to medicine, namely to neurosurgery. In process of subcutaneous operations of skull base, at the stage of closure of defect of the autograft, the middle nasal concha mucosa is used. For this purpose, during the operation the middle concha is resected, the mucous membrane peeled off, the flap is formed therefrom and immersed into the solution of antiseptic for 10 minutes. At the stage of close of the TMO inner surface of the flap of mucous membrane is placed on the TMO defect, and on the outer surface of the plate is placed tahocomba.EFFECT: method allows to increase clinical effectiveness and reduce the number of complications that is ensured by faster growth of own middle nasal concha mucosa with surrounding tissues.1 cl, 5 dwg, 2 exИзобретение относится к медицине, а именно к нейрохирургии, При эндоскопических операциях основания черепа, на этапе закрытия дефекта в качестве аутотрансплантата, используют слизистую оболочку средней носовой раковины. Для этого во время операции среднюю носовую раковину резецируют, отслаивают слизистую оболочку, формируют из нее лоскут и погружают в раствор антисептика на 10 минут. На этапе закрытии ТМО внутреннюю поверхность лоскута слизистой оболочки помещают на дефект ТМО, а на наружную поверхность укладывают пластину тахокомба. Способ позволяет повысить эффективность лечения и снизить количество осложнений, что достигается за счет более быстрого срастания собственной слизистой оболочки средней носовой раковины с окружающими тканями. 5 ил., 2 пр.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
相关发明人
相关专利

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充