熔盐电解法制备靶材溅射用超高纯钛的电解介质添加剂

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专利权人:

攀钢集团研究院有限公司

发明人:

范亚卓,穆天柱,苗庆东,谢波,邓斌,赵三超,彭卫星

申请号：

CN201710301954.X

公开号：

CN107130262A

申请日:

2017.05.02

申请国别(地区):

中国

年份:

2017

代理人:

高芸

摘要：

本发明涉及一种熔盐电解法制备靶材溅射用超高纯钛的电解介质添加剂，属材料表面与界面领域。本发明的目的就是提供了一种熔盐电解法制备靶材溅射用超高纯钛的电解介质添加剂，使得在熔盐电解条件下，控制阴极沉积物的结构和和沉积电位成为可能，通过控制一定的电解条件，在适当的电位下，制备出靶材溅射用超高纯钛。本发明电解介质添加剂，重量配比为：NaF 15‑25份，KF 20‑25份，Na₂TiF₆30‑40份，K₂TiF₆40‑55份。还可以添加KCN和KBr进一步的拉开不同金属之间的沉积电位和尽可能地减少浓差极化。制备所得超高纯钛的纯度在99.999％以上，氧含量低于100ppm，可以用于目前的半导体集成电路领域，如3D打印用球形钛粉，高纯钛靶、蒸发镀膜(高纯钛粒)、航空航天等。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/