一种高陡岩质边坡植被种植方法
- 专利权人:
- 陈洪凯;杨铭;吴帆
- 发明人:
- 陈洪凯,杨铭,吴帆
- 申请号：
- CN201410571514.2
- 公开号：
- CN104255280B
- 申请日:
- 2014.10.23
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 王玉芝
- 摘要：
- 本发明公开了一种高陡岩质边坡植被种植方法，该方法包括以下步骤：步骤一，在高陡岩质边坡坡面凿若干种植穴；步骤二，在所述种植穴的底部钻若干根系孔；步骤三，根系孔钻完后，用水浇入种植穴和根系孔中，待积水消失后用黏土与水混合搅拌制成泥浆，在根系孔中灌满泥浆，并在种植穴的内壁涂抹一层泥浆；步骤四，在所述种植穴中，从底部开始由下往上依次填充储水层、营养土层、种子层和防蒸发层。采用本发明的高陡岩质边坡植被种植方法，解决了植被水分问题，增加了植被的存活率，降低了维护成本。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
