The application describes an implant intended for incorporation in bone and soft tissue and comprising a metal or a semiconductor and a layer of a metal oxide or a semiconductor oxide on the surface of the metal/semiconductor/metal oxide or semiconductor/semiconductor oxide, where the oxide layer is hydrophobic and has pores. The application also describes a method for treating the surface of an implant according to the above.Linvention concerne un implant destiné à être incorporé dans des tissus osseux ou des tissus mous, comprenant un métal ou un semi-conducteur et une couche doxyde de métal ou doxyde semi-conducteur sur la surface de loxyde de métal/semi-conducteur/métal ou de loxyde semi-conducteur/semi-conducteur, la couche doxyde étant hydrophobe et poreuse. Linvention concerne également un procédé de traitement de la surface dun implant tel que mentionné ci-dessus.
