イリジウムティップ、ガス電界電離イオン源、集束イオンビーム装置、電子源、電子顕微鏡、電子ビーム応用分析装置、イオン電子複合ビーム装置、走査プローブ顕微鏡、およびマスク修正装置

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专利权人:

株式会社日立ハイテクサイエンス

发明人:

小堺 智一,松田 修,杉山 安彦,相田 和男,荒巻 文朗,八坂 行人,大庭 弘

申请号：

JP20140146186

公开号：

JP6266458(B2)

申请日:

2014.07.16

申请国别(地区):

日本

年份:

2018

代理人:

摘要：

There is provided an iridium tip including a pyramid structure having one {100} crystal plane as one of a plurality of pyramid surfaces in a sharpened apex portion of a single crystal with <210> orientation. The iridium tip is applied to a gas field ion source or an electron source. The gas field ion source and/or the electron source is applied to a focused ion beam apparatus, an electron microscope, an electron beam applied analysis apparatus, an ion-electron multi-beam apparatus, a scanning probe microscope or a mask repair apparatus.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/