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一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法
- 专利权人:
- 吉林师范大学
- 发明人:
- 贾洪声,鄂元龙,李海波,贺雪莲,李加琦,牛瑞,赵兴
- 申请号：
- CN201810172165.5
- 公开号：
- CN108191434A
- 申请日:
- 2018.03.01
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 曲德凤
- 摘要：
- 本发明涉及一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法，该方法采用高温高压烧结技术，具体步骤是：在高压高温条件下(HPHT，4.5～5.5GPa,1400～1500℃)，采用平均粒径为0.5μm及以上的金刚石、石墨烯、TiN、AlN、MgO、Y2O3粉末等作为烧结助剂，不同质量配比的氮化硅(β‑Si3N4)粉末作为骨架材料制备高热导率、高致密性氮化硅块体材料。本发明所述的制备高性能结构材料的方法是通过β‑Si3N4与助剂的混合粉末烧结技术，形成β‑Si3N4、金刚石、陶瓷硬质相等烧结相，其烧结体具有较高的热导率和致密性(低气孔率)。该方法操作性强，工艺简单，不需要超高温度，可以大大缩短结构材料的合成时间，是一种适用于航空航天、军工、电子等领域的新型陶瓷材料。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
