Zählender Röntgendetektor (1), umfassend– ein Direktkonvertermaterial (6) zur Umwandlung von Röntgenphotonen (13, 14, 15) in Ladungen,– verschiedenen Pixeln eines aufzunehmenden Bildes zugeordnete Ladungssammeleinheiten (8, 8’, 8a, 8b, 8c), welche auf wenigstens zwei in einem Lückenbereich (11) benachbarten, eine aktive Fläche des Röntgendetektors (1) definierenden Substraten (9) angeordnet sind und– eine einzelne Röntgenphotonen (13, 14, 15) anhand an den Ladungssammeleinheiten (8, 8’, 8a, 8b, 8c) gesammelter Ladungen einem Pixel zuordnende und zählende Auswerteelektronik (10), wobei– den lückenbereichseitigen Rand der Substrate (9) abdeckende, keinem Pixel eines aufzunehmenden Bildes zugeordnete Unterstützungs-Ladungssammeleinheiten (12, 12’) vorgesehen sind, die von dem Direktkonvertermaterial (6) überdeckt sind, und– die Auswerteelektronik (10) zur Berücksichtigung der gesammelten Ladungen der Unterstützungs-Ladungssammeleinheiten (12, 12’) nur bezüglich des Zählens eines Ereignisses für eine den Unterstützungs-Ladungssammeleinheiten (12, 12’) benachbarte, einem Pixel zugeordnete Ladungssammeleinheit (8, 8’, 8a, 8b, 8c) ausgebildet ist.The detector (1) has power-assist charge collection units (12) covering gap area side edges of a substrate (9), and covered by a direct converter material (6) i.e. cadmium telluride, which converts X-ray photons into charges. The power-assist collection units are not assigned to any pixel of an image to be captured. Evaluation electronics (10) considers the collected charges of the power-assist charge collection units with respect to counting of an event for pixel-assigned collection units (8, 8a, 8b) that are arranged adjacent to the power-assist charge collection units. The charge collection units and the substrate formed as a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) wafer.
