一种多脑区场电位记录电极及植入方法
- 专利权人:
- 深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 钟成,鲁艺,王璐璐,王立平
- 申请号：
- CN201610975793.8
- 公开号：
- CN106562786A
- 申请日:
- 2016.11.07
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明实施例公开了一种多脑区场电位记录电极，包括：多个单脑区电极以及单脑区电极持针器，所述单脑区电极，用于植入到目标脑区中；单脑区电极持针器，用于夹持所述单脑区电极，在立体定位仪的引导下分别移动所述多个单脑区电极，并将所述多个单脑区电极植入到多个目标脑区中。本发明实施例还公开了这种多脑区场电位记录电极的植入方法，采用本发明可以在只记录多脑区局部场电位的情况下，简化多脑区场电位记录的电极样式及对应的电极植入方法，降低植入的电极负重。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
