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一种基于暗场方差信号的图像传感器关键参数测试方法
专利权人:
哈尔滨工程大学
发明人:
温强,刘诗畅,李立
申请号:
CN201610297895.9
公开号:
CN105915891A
申请日:
2016.05.06
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
摘要:
本发明属于电子元器件测试技术领域,具体涉及了一种遵循EMVA Standard 1288标准并利用遗传算法反演图像传感器关键参数的基于暗场方差信号的图像传感器关键参数测试方法。本发明包括:在暗场条件下对图像传感器进行曝光操作,取n个不同的曝光时间,并分别采集这n个不同曝光时间所对应的n帧暗场图像数据,计算出n组暗场灰度值方差;按照遗传算法的进化流程得出图像传感器系统增益K、暗电流μI的最优估计值。本发明提供了一种基于暗场条件的图像传感器关键参数的测试方法,测试耗时少、简单易行。且对比于传统方法对实验环境及设备和空间的苛刻要求,在提高了环境适应性的同时也降低了测试成本。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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