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PATCH À RÉSEAU PHASÉ ULTRASONORE SUR CMOS FLEXIBLE ET SES PROCÉDÉS DE FABRICATION
专利权人:
THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人:
SHEPARD, Kenneth,COSTA, Tiago,TIEN, Kevin,SHI, Chen
申请号:
USUS2017/068528
公开号:
WO2018/125912A1
申请日:
2017.12.27
申请国别(地区):
US
年份:
2018
代理人:
摘要:
An ultrasound phased array integrated in flexible CMOS technology is provided. The CMOS IC chip is fabricated through various chip-thinning techniques, resulting in mechanical flexibility, robustness, and minimized mechanical loading for the piezoelectric transducers. The ultrasound phased array CMOS patch can allow for the generation of high intensity focal regions for maximum penetration in regions of interest.Réseau phasé ultrasonore intégré dans une technologie CMOS flexible. La puce de CI CMOS est fabriquée par diverses techniques d'amincissement de puce, ce qui permet d'obtenir une flexibilité mécanique, une robustesse et un chargement mécanique réduit au minimum pour les transducteurs piézoélectriques. Le patch CMOS à réseau phasé ultrasonore peut permettre la production de régions focales de haute-intensité pour une pénétration maximale dans des régions d'intérêt.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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