The present invention relates to a capacitive fingerprint sensing device including a semiconductor substrate and a sensing element array formed on the semiconductor substrate. Each of the sensing elements comprises a protective dielectric top layer； A sensing structure installed below the upper layer； And a charge amplifier coupled to the sense structure. The charge amplifier includes a negative input coupled to the sensing structure； A positive input； An output for providing a sense signal； Feedback capacitors； And a sense transistor having a gate constituting a negative input portion. The sensing transistor is formed in an insulating well in the semiconductor substrate. The fingerprint sensing device further includes an excitation signal providing circuit coupled to the positive input and the well of the charge amplifier to change the electrical potential of the sensing structure and the well thereby reducing the effect of parasitic capacitance in the sensing device.본 발명은 반도체 기판 및 상기 반도체 기판에 형성된 감지소자 어레이를 포함한 정전용량식 지문감지장치에 관한 것이다. 감지소자들 각각은 보호 유전체 상단층； 상단층 아래에 설비된 감지구조물； 및 감지구조물에 연결된 전하증폭기를 포함한다. 전하증폭기는 감지구조물에 연결된 음의 입력부； 양의 입력부； 감지신호를 제공하는 출력부； 피드백 커패시터； 및 음의 입력부를 구성하는 게이트를 갖는 감지 트랜지스터를 포함한다. 감지 트랜지스터는 반도체 기판내 절연 웰에 형성된다. 지문감지장치는 감지구조물과 웰의 전기적 전위를 변경하기 위해 전하증폭기의 양의 입력부와 웰에 연결된 여기신호 제공회로를 더 포함하며, 이로써 감지소자에서 기생 정전용량의 영향을 줄인다.
