一种硅神经电极混合集成器件的制造方法
- 专利权人:
- 中国科学院半导体研究所
- 发明人:
- 张旭,韩建强,刘鸣,裴为华,陈弘达
- 申请号：
- CN201410028793.8
- 公开号：
- CN103750833A
- 申请日:
- 2014.01.21
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种硅神经电极混合集成器件的制造方法，包括：制作用于神经信号采集的前置放大器芯片和硅神经电极；在前置放大器芯片表面制作掩膜，在前置放大器芯片输入压焊盘中制作金属层；在前置放大器芯片表面和压焊盘中制作绝缘层；对前置放大器芯片和硅神经电极的表面进行抛光；采用硅片键合技术将前置放大器芯片与硅神经电极集成，在前置放大器与硅神经电极间形成耦合电容。本发明有效隔离了电极记录点与神经细胞接触时形成的电极-电解液极化电位与细胞组织的共模扰动，消除了对前置放大器直流工作点的影响，简化了前置放大器的设计与神经信号记录系统。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
