A single device for emitting and detecting photons. The device comprises a semiconductive layer (3), active material (5), further dielectric layer (17) and overlying electrode (25). In a first mode of operation an electrical field is applied between the semiconductive layer (3) and the overlying electrode (25). This enables photons to be emitted from the active material (5). In a second mode of operation, the semiconductive layer (3) constitutes a channel of a field effect transistor (23). The field effect transistor further comprises source electrode (11), drain electrode (15), gate electrode (13) and dielectric layer (19). Photons absorbed by the active material (5) causes charge to be transferred to the semiconductive layer (3), thereby changing the channel resistance. A plurality of such devices can be arranged in a configurable array.L'invention porte sur un dispositif unique pour émettre et détecter des photons. Le dispositif comprend une couche semi-conductrice (3), un matériau actif (5), une couche diélectrique supplémentaire (17) et une électrode surjacente (25). Dans un premier mode de fonctionnement, un champ électrique est appliqué entre la couche semi-conductrice (3) et l'électrode surjacente (25). Cela permet d'émettre des photons à partir du matériau actif (5). Dans un second mode de fonctionnement, la couche semi-conductrice (3) constitue un canal d'un transistor à effet de champ (23). Le transistor à effet de champ comprend en outre une électrode de source (11), une électrode de drain (15), une électrode de grille (13) et une couche diélectrique (19). Des photons absorbés par le matériau actif (5) provoquent un transfert de charge à la couche semi-conductrice (3), ce qui permet de modifier la résistance du canal. Une pluralité de tels dispositifs peuvent être agencés en un groupement configurable.
