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在钛合金表面制备减摩抗磨F‑DLC薄膜的方法
- 专利权人:
- 重庆理工大学
- 发明人:
- 王军军,王林青,黄伟九,马建军,何浩然
- 申请号：
- CN201611036287.9
- 公开号：
- CN106498362A
- 申请日:
- 2016.11.23
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 邹晓艳
- 摘要：
- 本发明公开了一种在钛合金表面制备减摩抗磨F‑DLC薄膜的方法，采用平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法(HP‑PECVD)，所述平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积方法为：在传统等离子体化学气相沉积法的基础上，将现有沉积系统反应室中放置样品的样品盘改进成两块平行的平板，将基体放置在两块平板之间，在两块平板间施加负偏压形成空心阴极效应；具体包括如下步骤：1)预处理；2)溅射清洗；3)沉积Si过渡层；4)沉积F‑DLC薄膜。本发明方法在钛合金表面沉积的F‑DLC薄膜具有减摩抗磨功能，能够提高钛合金在人体环境中的摩擦学性能，解决钛合金作为人工关节由于摩擦磨损所引起的无菌松动并发症等问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
