Es wird ein Verfahren zur Erfassung eines Zustands einer Verkapseiung und/oder einer Passivierungsschicht (10, 30, 50) der Verkapseiung beschrieben. Die Verkapseiung bildet ein Mehrschichtsystem aus mehreren übereinander liegenden Passivierungsschichten (10, 30, 50) und zwischen den Passivierungsschichten (10, 30, 50) liegenden, elektrisch ankontaktierten Zwischenschichten (20, 40). Das Mehrschichtsystem schützt ein von der Verkapseiung umgebenes Implantat (60, 70). In dem Verfahren wird eine elektrische Messung zwischen einem Referenzpotenzial und zumindest einer elektrisch ankontaktierten Zwischenschicht (20, 40) durchgeführt, und wird zumindest ein zwischen dem Referenzpotenzial und der zumindest einen elektrisch ankontaktierten Zwischenschicht (20, 40) fließender Strom erfasst. Der zumindest eine erfasste Strom wird mit zumindest einem vorbestimmten Schwellenwert verglichen. Ein Unterschreiten oder ein Überschreiten des zumindest einen Schwellenwerts zeigt einen funktionellen Zustand einer zu der zumindest einen elektrisch ankontaktierten Zwischenschicht (20, 40) benachbarten Passivierungsschicht (10, 30, 50) an.A method is used for determining a status of an encapsulation and/or a passivation layer of the encapsulation. The encapsulation forms a multi-layer system from multiple passivation layers arranged on top of one another and electrically contacted intermediate layers arranged between the passivation layers. The multi-layer system protects an implant surrounded by the encapsulation. In the method, an electrical measurement is carried out between a reference potential and at least one electrically contacted intermediate layer, and at least one current flowing between the reference potential and the at least one electrically contacted intermediate layer is detected. The at least one detected current is compared with at least one pre-determined threshold value. If the detected current falls below or exceeds the at least one threshold value, this indicates a f
