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周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法
专利权人:
三菱化学株式会社
发明人:
門野 真二郎,藤戸 健史,安藤 光輝,内山 泰宏
申请号:
JP20130047128
公开号:
JP6070297(B2)
申请日:
2013.03.08
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method of a nitride semiconductor crystal of a group 13 metal in the periodic table, capable of producing a high-quality bulk crystal by suppressing generation of a polycrystal.SOLUTION: A production method of a nitride semiconductor crystal of a group 13 metal in the periodic table includes: a heating step for heating a reservoir 4 for storing a raw material of a group 13 metal in the periodic table at a temperature of 150°C or higher; and a growth step for growing a nitride semiconductor crystal of the group 13 metal in the periodic table on a ground substrate 11 by introducing halogen-containing gas into the reservoir 4, and by heating at least the reservoir 4 at the temperature of 150°C or higher.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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