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氯磺隆分子印迹SPR传感器芯片的制备方法
- 专利权人:
- 中国农业科学院农业质量标准与检测技术研究所
- 发明人:
- 王静,佘永新,王淼,史晓梅
- 申请号：
- CN201210080990.5
- 公开号：
- CN102608069A
- 申请日:
- 2012.03.23
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 韩末洙
- 摘要：
- 氯磺隆分子印迹SPR传感器芯片的制备方法，本发明涉及SPR传感器芯片的制备方法。本发明是要解决现有的分子印迹聚合物膜制备的芯片的灵敏度差的技术问题。方法：在玻璃片上沉积铬、金后，再经洗涤，得到芯片基底；将氯磺隆、甲基丙烯酸二乙氨基乙酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯和偶氮二异丁腈加入到乙腈中反应，将反应产物去除氯磺隆模板，干燥后得到氯磺隆分子印迹聚合物纳米微球；将氯磺隆分子印迹聚合物纳米微球与聚氯乙烯、邻苯二甲酸二丁酯加入到四氢呋喃中混匀得到镀膜液；再将镀膜液涂于芯片基底上，得到氯磺隆分子印迹SPR传感器芯片。该芯片对氯磺隆检测限可达20ng/mL，可检测痕量氯磺隆，用于传感与分离技术领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
