OLIVIER BREL,GENEVIEVE BREL,YANNICK KERVRAN,TAYEB MOHAMMED-BRAHIM,SAMUEL CRAN,OLIVIER LE MONIES DE SAGAZAN
申请号：
FR1361996
公开号：
FR3013959A1
申请日:
2013.12.03
申请国别(地区):
FR
年份:
2015
代理人:
摘要：
It is a system (1) and a method for determining the occlusal surface of a patient's jaw. It comprises a contact detector member (6) arranged to be inserted between the teeth (3, 4) of the patient and means (10) for calculating the distribution of the occlusal forces to perform the mapping (11). The detector member (6) comprises a flexible plate (14) which is detachably formed of a flexible plastic sheet (15) secured to a pressure sensor grid (17) comprising a first layer comprising three layers, two layers electrode arrangement (20, 30) sandwiching an intermediate layer of variable resistivity as a function of the pressure applied thereto. The electrodes (20, 30) define so-called intersecting zones (17) forming at least 5000 square-section sensors less than or equal to 600 microns, the intermediate layer comprising a wafer (24) made of microcrystalline semiconductor silicon. thickness less than or equal to 50 nano meters. Il s'agit d'un système (1) et d'un procédé de détermination de la surface occlusale d'une mâchoire de patient. Il comprend un organe détecteur (6) de contacts agencé pour être inséré entre les dents (3, 4) du patient et des moyens (10) de calcul de la répartition des forces occlusales pour en réaliser la cartographie (11). L'organe détecteur (6) comprend une plaque souple (14) amovible formée d'une feuille en matière plastique (15) souple rendue solidaire d'une grille de capteurs (17) de pression comprenant une première couche comportant trois couches, deux couches d'électrodes (20, 30) prenant en sandwich une couche intermédiaire de résistivité variable en fonction de la pression qui lui est appliquée. Les électrodes (20, 30) définissent des zones dites d'intersection (17) formant au moins 5000 capteurs de section carrée inférieure ou égale à 600 micro mètres, la couche intermédiaire comprenant une tranche (24) en silicium microcristallin semi-conducteur d'épaisseur inférieure ou égale à 50 nano mètres.
