The invention relates to a photoplethysmography (PPG) sensing device comprising - a pulsed light source, - at least one pixel to create photo-generated electrons, synchronized with said pulsed light source. It is mainly characterized in that each pixel comprises: - a pinned photodiode (PPD) having two electronic connection nodes, - a sense node (SN), to convert the photo-generated electrons into a voltage, and - a Transfer Gate (TGtransfer) transistor, having its source electronically connected to one electronic connection node of said pinned photodiode (PPD), and being configured to act as a transfer gate (TG) between said pinned photodiode (PPD) and said sense node (SN), allowing the photo-generated electrons to sink when the light is pulsed-off, the photo-generated electrons integration when the light is pulsed-on and the transfer of at least part of the integrated photo-generated electrons to said sense node for a read-out.L'invention concerne un dispositif de détection par photopléthysmographie (PPG), comprenant - une source de lumière pulsée, - au moins un pixel pour créer des électrons photo-générés, synchronisés avec ladite source de lumière pulsée. Le dispositif est principalement caractérisé en ce que chaque pixel comprend : - une photodiode PPD présentant deux nœuds de connexion électronique, - un nœud de détection (SN), pour convertir les électrons photo-générés en une tension, et - un transistor de grille de transfert (TGtransfer), dont la source est connectée électroniquement à un nœud de connexion électronique de ladite photodiode PPD, et qui est configuré pour agir comme une grille de transfert (TG) entre ladite photodiode PPD et ledit nœud de détection (SN), ce qui permet aux électrons photo-générés de se dissiper lorsque la lumière est désactivée par impulsions, aux électrons photo-générés d'être intégrés lorsque la lumière est activée par impulsions et à au moins une partie des électrons photo-générés intégrés d'être transférés vers ledit nœud de
