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一种碳化硅晶须的制备方法及相关应用
- 专利权人:
- 江苏瑞力新材料科技有限公司
- 发明人:
- 张培根,郭晟旻,邢乃文,梁建栋,王开阳
- 申请号：
- CN201210135249.4
- 公开号：
- CN103382030A
- 申请日:
- 2012.05.04
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 该发明公开了一种纳米SiC晶须的制备方法，具有高达100％的晶须产率。工艺原料为商业碳源和稻壳白灰的均匀混合物。在惰性气氛中将该混合物加热到高温(1500℃)，并且在该温度下保温一段时间。反应后，产物主要是β-SiC纳米晶须(光滑表面或者表面有小颗粒而呈串珠结构)。将反应产物在空气中加热到700℃，保温(120分钟)除去残余的碳元素，以得到高纯度的SiC晶须产品。所得SiC晶须直径为200nm到400nm，长度为数十微米。SiC的一系列优异的性质使其具有广泛的应用，例如用于复合材料中的增强相，以及在热流体中用于增加热传递系数。本发明中，串珠结构的SiC晶须用于复合材料的增强，比起传统的光滑纤维效果更加明显；SiC晶须对于热流体的热传递系数有大幅度提高。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
