氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法
- 专利权人:
- 吉林大学
- 发明人:
- 张明喆,崔光亮
- 申请号：
- CN201110455860.0
- 公开号：
- CN102565284A
- 申请日:
- 2011.12.31
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 王恩远
- 摘要：
- 本发明的氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法属于气体敏感材料相关的技术领域。气敏材料的结构是Cu2O和SnO2呈长条状并列，周期性交替组装形成的膜材料，生长在硅片基底上；Cu2O材料堆积较厚成隆起部分，SnO2材料堆积较薄成低谷部分。制备方法是在硅衬底上并列平放两铜箔电极，电极间滴入硝酸铜和氯化亚锡配置的电解液，盖上盖玻片，制冷凝固再加半正弦波电压，使Cu2O和SnO2周期性交替沉积。本发明的异质阵列结构气敏材料不仅具有材料本身各自的气敏特性，也因材料具有稳定有序的异质结构，使气敏元件在室温下的灵敏度更高，寿命更长，同时可以节约能源，保护环境。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
