新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂及其制备方法与应用
- 专利权人:
- 国家纳米科学中心
- 发明人:
- 韩秋森,杨蓉,王新环,王琛
- 申请号：
- CN201610249084.1
- 公开号：
- CN105833265B
- 申请日:
- 2016.20.04
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种新型片层二硫化钼基纳米免疫佐剂及其制备方法与应用,该免疫佐剂是由CpG和PEG对二硫化钼纳米片层进行修饰得到的产物,制备方法包括将二硫化钼纳米片层进行超声处理;然后与CpG和PEG混合,在摇床中温控孵育;离心去除游离的CpG和PEG而得到。本发明纳米免疫佐剂粒径小、尺寸均一、比表面积大,具有较强的近红外区光热转换能力,联合红外激光照射可以很大程度上提高免疫激活相关细胞因子的分泌水平。此外,本发明所述的纳米免疫佐剂具有较低的细胞毒性。本发明具有原料成本低,制备工艺简单,重复性好,性能稳定等优点。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
