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离子发生装置以及离子发生装置的制造方法
专利权人:
夏普株式会社
发明人:
冈野哲之,江崎哲也,松山贵洋,大江信之,山下光义,谷口三奈子
申请号:
CN201680046734.0
公开号:
CN108780982B
申请日:
2016.13.10
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
提供一种离子发生装置(1),所述离子发生装置(1)的放电电极(21、22)中的多个导电体(25、26)的前端面(36、37)的长边方向非平行于送风方向(A)。因此,有效地释放离子。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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