一种复合阵列电极及其制备方法和应用
- 专利权人:
- 深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 曾齐,吴天准
- 申请号：
- CN201811536249.9
- 公开号：
- CN109700453A
- 申请日:
- 2018.15.12
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种复合阵列电极,包括微电极阵列基体,以及形成在所述微电极阵列基体的微电极表面的修饰层,所述修饰层包括多个间隔设置在所述微电极表面的导电层,所述微电极表面上,所述导电层以外的区域设置绝缘层,所述导电层的材质包括纳米铂、纳米铱、导电聚合物和碳纳米管等中的一种或多种。该复合阵列电极有效消除的边缘效应的影响,整个所述复合阵列电极的微电极表面电场分布均匀,显著提高了电极的电化学性能和电极的检测能力水平。本发明还提供了复合阵列电极的制备方法和应用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
