The optoelectronic device contains a matrix of optoelectronic components including semiconductor optical amplifiers SOAs, the said semiconductor optical amplifiers SOAs containing an active layer of gallium nitride GaN having multiple InGaN/GaAsN or InGaN/AlGaN quantum wells on a substrate of p-doped gallium nitride and covered with a layer of n-doped gallium nitride. The p-doped gallium nitride Ga N substrate forms a column of p-Ga N covered with a layer of an insulator in biocompatible material. The device can contain a matrix having multiple electronic components of different heights. The optoelectronic component can be aphotodiode or a semiconductor optical amplifier SOA. This optoelectronic device can be used in epiretinal or subretinal prostheses. A single epiretinal or subretinal prosthesis can contain a matrix of photodiodes and a matrix of semiconductor optical amplifiers SOAs.L'invention concerne un dispositif optoélectronique qui contient une matrice de composants optoélectroniques incluant des amplificateurs optiques semi-conducteurs (SOA), lesdits amplificateurs optiques semi-conducteurs (SOA) contenant une couche active de nitrure de gallium (GaN) comportant plusieurs puits quantiques d'InGaN/GaAsN ou d'InGaN/AlGaN sur un substrat de nitrure de gallium dopé de type p et recouvert d'une couche de nitrure de gallium dopé de type n. Le substrat de nitrure de gallium (GaN) dopé de type p forme une colonne de GaN de type p recouvert d'une couche d'un isolant en matériau biocompatible. Le dispositif peut contenir une matrice comportant plusieurs composants électroniques de hauteurs différentes. Le composant optoélectronique peut être une photodiode ou un amplificateur optique semi-conducteur (SOA). Le dispositif électronique peut être utilisé dans des prothèses épirétiniennes ou sous-rétiniennes. Une seule prothèse épirétinienne ou sous-rétinienne peut contenir une matrice de photodiodes et une matrice d'amplificateurs optiques semi-conducteurs (SOA).
