一种基于聚乙撑二氧噻吩的高灵敏度亚硝酸根离子电极及其制备方法
- 专利权人:
- 浙江刚竹网络科技有限公司
- 发明人:
- 孙云福,纪晓声,陈波,章铁毅
- 申请号：
- CN201610336707.9
- 公开号：
- CN106018524A
- 申请日:
- 2016.05.20
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 陈杰
- 摘要：
- 本发明提供了一种基于聚乙撑二氧噻吩的高灵敏度亚硝酸根离子电极，从内到外依次包括：金属丝、导电聚乙撑二氧噻吩膜、亚硝酸根离子敏感膜和玻璃管，所述亚硝酸根离子敏感膜中包含乙撑二氧噻吩膜‑苯乙烯磺酸共聚物。本发明采用苯乙烯磺酸与3,4‑乙撑二氧噻吩共聚物作为敏感膜的成膜材料，替代现有技术中的PVC，与相邻层的导电聚乙撑二氧噻吩具有较好的相容性，增加层间作用力，减少层间信号传递损失，从而进一步增强离子电极的灵敏度，使得电极检测浓度下限低至10‑8mol/L；同时增加共聚物的吸附点，提高其离子吸附能力，扩大亚硝酸根离子的检测范围。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
