低损伤植入型神经电极
- 专利权人:
- 上海交通大学
- 发明人:
- 张文光,马亚坤,李正伟
- 申请号：
- CN201510231111.8
- 公开号：
- CN104857630A
- 申请日:
- 2015.05.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 一种低损伤植入型神经电极，包括基座部、连接部和柄部，所述的基座部和连接部之间连接柔顺铰链，所述的柄部的一端与所述的连接部相连。本发明基座部基于柔顺机构设计理论，增强电极与脑组织界面耦合程度，可多自由度减少电极与神经组织长期接触微动损伤；柄部前端采用半圆角设计进一步减少微动损伤；在电极外部设计具有外凸流线型可降解涂层，减少电极植入损伤。本发明电极植入外形与微动工作状态外形互不干涉、电极植入时急性损伤更小、长期工作时能在多个方向上减少微动损伤，多方面融合减轻对神经细胞的损伤，可提高微电极的可靠性，使神经电极能够长期稳定的在体内留置。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
