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뇌파 센서 유닛 및 이를 이용한 뇌파 측정 장치
专利权人:
SAMSUNG ELECTRONICS CO.; LTD.
发明人:
LIM, SE HOONKR,임세훈,JO, HEE JAEKR,조희재,PARK, JUN HYUNGKR,박준형,YANG, JANG BEOMKR,양장범,JUNG, JAE MINKR,정재민,KOH, JUN HOKR,고준호,LEE, CHANG HYUNKR,이창현,LIM, YONG HYUNKR,임용현
申请号:
KR1020150074805
公开号:
KR1020160139612A
申请日:
2015.05.28
申请国别(地区):
KR
年份:
2016
代理人:
摘要:
Disclosed are a brainwave sensor unit and a brainwave measurement device using the same. The brainwave sensor unit comprises first and second contact point electrodes located on a support object. The first contact point electrode obtains a brainwave signal of a living body. The second contact point electrode is separated from the first contact point electrode to be electrically insulated and grounded.COPYRIGHT KIPO 2016뇌파 센서 유닛 및 이를 이용한 뇌파 측정 장치가 개시된다. 개시된 뇌파 센서 유닛은 지지체 상에 위치한 제1 및 제2 접점 전극을 포함하며, 제1 접점 전극은 생체로부터 뇌파 신호를 획득하며, 제2 접점 전극은 제1 접점 전극과 이격되어 전기적으로 절연되고 접지된다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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