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可消除硅偏聚的铝合金真空焊接方法
- 专利权人:
- 贵州大学
- 发明人:
- 赵飞,陈召松,梁益龙,张占铃
- 申请号：
- CN201110212478.7
- 公开号：
- CN102248242B
- 申请日:
- 2011.07.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 程新敏`顾书玲
- 摘要：
- 本发明公开了一种可消除硅偏聚的铝合金真空焊接方法：（1）预热：将待焊接铝合金与铝硅系钎料组装完毕后零件置于真空钎焊炉内，以8～10℃/S的升温速度加热至200～300℃，保温20-40min，真空度>5×10-2Pa；（2）破膜：以6～9℃/S的升温速度加热至530-550℃，保温20～40min，真空度>5×10-3Pa；（3）焊接：以小于5℃/S的升温速度加热至600～620℃，保温60～90min，真空度>3×10-3Pa；（4）冷却：焊接好的零件随炉降温至520-540℃，取出空冷至室温。通过控制真空钎焊的工艺参数大幅度减少甚至避免了硅偏聚现象的产生，提高了铝合金产品焊缝的组织均匀性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
