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一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法
- 专利权人:
- 中国科学院上海高等研究院
- 发明人:
- 陈海燕,陈小源,王春林,林珊珊,赵玲,杨康,王会利
- 申请号：
- CN201410151854.X
- 公开号：
- CN104109785B
- 申请日:
- 2014.04.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 李仪萍
- 摘要：
- 本发明提供一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法，所述Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料具有层状结构，其化学通式为Mg2SixSn1-xMy，其中，M表示为掺杂元素，选自Sb、Bi、Ga、Ag、Cu或Al中的一种，0.3≤x≤0.9，0.005≤y≤0.15；每一层结构都具有不同的Mg：Si：Sn原子摩尔含量比、以及不同的M掺杂浓度；每一层结构由Mg-Si-Sn基体以及弥散分布的与基体形成共格界面或半共格界面的Mg-Si-Sn纳米晶粒第二相组成。该Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料因具有共格界面和调制掺杂结构，其晶格热导率低、热电性能好，可广泛应用于航天、国防以及汽车等领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
