一种适合贫瘠地区的富硒土豆种植方法
- 专利权人:
- 吴绍玲
- 发明人:
- 吴绍玲
- 申请号：
- CN201711210867.X
- 公开号：
- CN107853113A
- 申请日:
- 2017.11.21
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种生长速度快，产量高且植株健壮的一种适合贫瘠地区的富硒土豆种植方法。一种适合贫瘠地区的富硒土豆种植方法，包括以下步骤：1)精选种薯，选择表皮色泽新鲜、没有龟裂、没有病斑、薯块大小以30‑50克左右为宜。2)种薯处理；块薯。切块时应自顶部至脐部纵切。3)催芽；催芽、播前将种薯放在15‑20℃的室内并覆盖2厘米厚湿润的沙壤土；当芽长至0.5～1cm时放在大棚内练芽。4)根据生育期选择肥料，施足基肥可以促进土豆前期枝叶繁茂，根系发达。5)田间管理，早追苗肥，看苗追施现蕾肥和长薯肥。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
